SPC｜为半导体制程零组件打造的耐电浆厚膜蒸镀平台

为半导体制程零组件量身打造的耐电浆镀膜设备

半导体制造的关键制程 —— 蚀刻（Etching）、化学气相沉积（CVD）、电浆清洗 —— 都需在腔体内产生高能量、高反应性的电浆环境。长期暴露于电浆中的腔体零组件（Edge Ring、Shower Head、Cover Plate、Liner 等），会因电浆轰击而逐渐侵蚀，释放出粒子污染晶圆、降低制程稳定性，并缩短零组件寿命。

为延长关键零组件的使用寿命、提升半导体 Fab 的制程稳定性与良率，采用稀土氧化物（以 Y₂O₃ 氧化钇为主）的耐电浆厚膜镀层已成为业界主流方案。大永真空 SPC 半导体耐蚀刻蒸镀机（Semiconductor Plasma-resistant Coater）是专为此一应用所优化的镀膜设备，提供稳定可靠的稀土氧化物厚膜量产能力，服务半导体设备厂、零组件制造厂与 Fab 内 maintenance 服务商。

Y₂O₃ 厚膜能力｜10~50 微米连续沉积不容妥协

耐电浆镀层的核心是稀土氧化物（Y₂O₃、YAG、YF₃ 等）的厚膜沉积，业界标准膜厚通常落在 10~50 微米区间，某些极端应用甚至需要 100 微米以上。传统蒸镀设备在沉积如此厚的膜层时，常面临膜层应力累积、微裂纹、内部气孔、附着力下降等技术挑战。

SPC 采用大尺寸坩埚设计与优化的蒸发速率控制，可在不停机的条件下完成 10~50 微米连续厚膜沉积。搭配大永自制高效能离子源的高能量辅助模式，Y₂O₃ 等稀土氧化物薄膜可达 95% 以上的理论密度，气孔率控制在 1% 以内。如此高致密的膜层结构，即使长期暴露于 CF₄、SF₆、Cl₂ 等强腐蚀电浆环境，仍能维持优异的耐侵蚀表现，显著延长零组件寿命。

Fab 级洁净度设计｜满足半导体最严苛粒子标准

半导体制程对粒子污染的容忍度极低，任何来自设备本身的粒子污染都将直接影响晶圆良率。SPC 从机台设计阶段就以 Fab 级洁净度为目标 —— 腔体采用低粒子释放材质、内部空间维持 Class 1000 等级洁净度、所有与工件接触的部件均经过严格的清洁与检验流程。

此外，SPC 可选配 ISO 5（Class 100）等级的进出料区，搭配 Fab 级的工件清洁程序，确保镀后零组件可直接送入 Fab 使用，无需额外二次清洁。对于 7nm 以下先进制程，SPC 提供业界领先的污染控制能力。

整合大永核心技术｜稳定高良率厚膜量产

SPC 虽以厚膜为主诉求，但仍保留大永光学蒸镀系列核心技术：OMS 光学监控系统可即时掌握厚膜沉积进程、FAST 镀膜均匀性模拟程式可优化复杂形状零组件镀膜均匀性、行星式公自转治具可确保大批量量产批次一致性。

SPC 提供 1350、1550、1800 多种腔体尺寸，可依零组件规模弹性配置，从研发试样到大型 Edge Ring、12 吋 Shower Head 等应用皆可对应，提供 Fab 认证等级厚膜量产设备。