最新消息
11 Mar
经贸局:大永真空以新型DLC涂层和HiPIMS设备,抢进半导体,生物医学市场
经贸局:大永真空以新型DLC涂层和HiPIMS设备,抢进半导体,生物医学市场 Source:Taiwan External Trade Development Council Revise Date:2021-02-24 具PVD丰富经验的真空镀膜设备商大永真空设备股份有限公司,采用了最新的高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)技术以及 类金刚石膜 (DLC)技术,并发布了其最新的溅镀设备,以期提供更好的溅镀技术。具硬度和高附着度的涂层是非常被需要的镀膜技术,尤其在半导体和生物医学行业。 根据大永真空的最新发表,这种功能性涂层技术的发展已成功地应用于许多行业和产品,例如印刷电路板(PCB)微钻针,电路板(IC)测试探针和其他医疗设备。 HIPIMS是一种以高功率脉冲电源进行磁控溅射的技术,透过产生比传统直流溅射模式要高上数十倍之瞬间脉冲电流,得到比直流溅射要高上百倍至万倍的电子密度的高密度电浆,可在低基材温度下进行无孔隙、致密度高、结晶性佳的涂层沉积。在薄膜硬度、韧性展现优异性能,并且优异的沉积速率,提供最高的生产率。 HiPIMS 技术的关键核心为电源供应器,大永真空独立HiPIMS电源供应器设计结合单一靶座。将直流电源供应器的电能累积至充电电压可达数百、数千伏特的脉冲模块电容中,再以晶体管控制放电的脉冲时间、脉冲频率,以产生高密度电浆于独立靶面,将靶面中毒的机率降至最低,增加靶材离化率与利用率,大永指出:“它大大降低了涂层成本。” 大永真空以DYHC溅射系列为傲,其高电浆密度(1018~19e-/m3)、高离化率(70~100%)的特点,使薄膜有良好的致密性、附着性、平整性及抗腐蚀的特性。较低的占空比(<5%),使制程温度大幅降低,基板的选择也更多,如软性基板PEN、PET等。   类金刚石膜 (Diamond-like Carbon,DLC)是一种非晶形的碳材料,是世界上最坚硬的涂层材料,其诸多的材料性质类似于 金刚石 石,例如高硬度、耐磨耗、低摩擦系数,因而涂层得名为类钻碳薄膜。PVD相较于CVD之DLC更具优势。它可以处理对高温敏感的精细基板采低温制程(低于200摄氏度),明显提高任何硬质零件的性能,其高导热率以更快的速度散热,从而显著提高加工效率。 由大永真空开发的DLC膜层,包括DLC a-C:H涂层和DLC ta-C与其他竞争对手的DLC膜层不同,其厚度可超过3um,甚至10um,并保持一定硬度(1500HV以上)。 大永真空的DLC膜层其他优势包括450摄氏度的耐热性(一般同业不超过350摄氏度),以及3,000HV硬度和低于0.1的摩擦系数。大永并指出,在此制程中不会使用任何有害气体。 通过不同的制程调适,这样的技术可以应用于广泛的商业领域,例如半导体、能源、机械加工、成型、生物医学等行业。 拥有五十多年PVD专业经验的大永真空,于1995年收购了总部位于美国的Darly Custom Technology,以扩展到柔性电子行业。大永一直在开发多样化的镀膜设备和技术,广泛应用于许多行业,如电子产品、汽车零件、电光和半导体行业。大永真空在声明中说,采用最新的HiPIMS技术,“我们的目标是成为薄膜涂层工艺的先驱”。 大永真空致力于该真空镀膜行业,其专利技术已在全球获得许多证书。该公司还强调与学研界之间的合作,并与当地大学共同开发设备和系统,为客户提供量身定制的支持和服务,从早期PVD蒸镀(Evaporation)与PECVD重合膜技术,到现今国内独有的高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)与电感耦合电浆源辅助反应性溅镀技术及对应之设备研发制造,持续提供最先进的真空镀膜设备和技术。大永整合真空镀膜技术与各种工艺和新设备技术,旨在带领客户成为产业先驱者。 大永真空表示:“透过与电子产品、汽车零件、光电和半导体行业的合作伙伴合作,我们能够开发最先进的涂层应用并满足客户的各种需求。”在日本,马来西亚,新加坡,泰国,越南和菲律宾拥有业务合作伙伴。 Source: https://pse.is/3d3l87
09 Mar
【新制程发表】二阶段式反应溅镀法
大永真空全新开发「二阶段式反应溅镀法」技术,透过分离溅镀与反应性气体间交互作用,可有效改善反应性溅镀制程的缺点,除了可保有溅镀制程之高薄膜品质与大面积均匀性等优点外,制程具有更高的稳定性及足以媲美于溅射靶材金属的高沉积速率! 技术介绍 将溅射与反应分为二阶段[1]:阴极靶材溅射出靶材粒子,附着于基板表面形成超薄金属膜,其厚度约1~4Å,并于一封闭区域产生反应性气体电浆,使反应性气体如氧气、氮气之气体自由基与基板表面超薄金属反应,并透过混和气体比例形成多种反应物,如SiOx、NbxOy或SixNy等化合物,此时属于薄膜成长之成核阶段,重复以上过程使靶材粒子不断反应并凝聚,以形成介电质薄膜,透过分离溅镀与反应性气体间交互作用,借此消除电荷累积、arcing与制程不稳定,并达到高沉积速率之效果,此制程法称二阶段式反应溅镀法[2],如图一所示。 图一、二阶段式反应溅镀法式意图 如今,大永真空除蒸镀光学领域外,更开发出自有的二阶段式反应溅镀法设备,以此将溅镀制程之特性导入光学领域。传统反应性溅镀之薄膜特性如表一: 特性 蒸镀 反应性溅镀 离子动能 低 高 膜质 松散 致密 镀率 不稳 稳定 阶梯覆盖力 低 高 表一、蒸镀与反应性溅镀特性比较 但因反應性濺鍍易造成靶材毒化而但因反应性溅镀易造成靶材毒化而降低镀率,且因累积电荷后易发生Arcing,而造成薄膜缺陷,如图二所示: 图二、Arcing造成薄膜缺陷示意图 大永真空藉由大永真空藉由二阶段式反应溅镀法,妥善解决了反应性溅镀低镀率且容易因靶材毒化而Arcing的缺点,进一步让光学薄膜,提升成「高镀率」、「高膜质」、「高稳定性」,并一定程度克服了非平面的基材限制,让具有曲面的基材也可制备出均匀的光学薄膜,此特性极适合运用于自驾车产业之车载镜头。图三为大永真空使用二阶段式反应溅镀法制备出之高低折射率单层膜穿透率曲线图: 图三、SiO2、Nb2O5穿透率曲线图 以此鍍製之抗反射膜,如圖四所示:以此镀制之抗反射膜,如图四所示: 图四、以二阶段式反应溅镀镀制之抗反射膜反射率曲线 未来,大永真空将继续深耕溅镀光学领域,进行更前端之制程研发,并跨足自驾车产业,带着最佳性能的溅镀技术,提供客户高品质的光学薄膜镀制选择。