• ALD薄膜沉积技术展现卓越致密均匀性与覆盖性

大永真空ALD（Atomic Layer Deposition, ALD）原子层沉积系统是一种高精度、低温、均匀性极佳的薄膜沉积技术，适用于半导体、光学元件、生物医药与先进封装应用。ALD通过自限制反应（Self-limiting Reaction），在原子层级别精确控制膜厚，确保极致的成膜均匀性与覆盖率，即使在高深宽比结构或自由曲面基板上，也能实现卓越的致密均匀性与完整覆盖。无论是绝缘层、高精度光学元件、纳米结构应用或是防潮与耐蚀保护层，ALD皆能提供稳定可靠的解决方案，满足产业应用的严苛需求。

• 热式ALD & 等离子辅助ALD技术灵活选择制程模式

大永真空ALD原子层沉积系统采用热式ALD（Thermal ALD）与等离子辅助ALD（PE-ALD）技术，可根据材料特性与应用需求灵活选择制程模式。设备具备高精度质量流量控制（MFC）、脉冲阀（Pulse Valve）、等离子源（ICP）等先进设计，确保反应气体稳定输送与最佳化成膜条件。ALD低温沉积特性使其可应用于聚合物、OLED、MEMS、Micro-LED等温度敏感基材，扩展更多先进制造的可能性。我们的设备可支持多种前驱物组合，实现Al₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂等高质量薄膜沉积，提升产品性能与可靠性。

• 生产管理系统无缝连接 & 客制化解决方案

大永真空ALD原子层沉积系统整合SECS/GEM通讯协议，确保与半导体生产管理系统无缝连接，实现制程控制与数据记录。此外，设备配备高精度温控系统与智能故障诊断功能，可提高产线良率与稳定性。我们提供模块化设计与客制化解决方案，满足不同生产需求，无论是小量试产或大规模量产，皆可提供最适合的ALD设备选择，协助客户在高精度薄膜技术领域保持领先优势。

• 高均匀性与完整覆盖
• 高密度与低粗糙度薄膜
• 低温制程，适用于温度敏感材料
• 可精准控制折射率与膜厚
• 多功能应用，适用于各类产业应用镀膜