高性能碳化硅镀膜技术 ｜厚膜、高沉积率、抗等离子蚀刻

• 运用物理气相沉积（PVD）中空阴极溅镀技术，镀制高品质碳化硅薄膜。相较于传统 PVD 制程（如蒸镀、电弧镀等），本技术具备镀膜速率快（>10 µm/hr）、涂层厚度高（>150 µm）的优势，能大幅提升制程效率与涂层耐用性。

薄膜特性

• 结构：非晶碳化硅
• 优异的耐等离子蚀刻性能：特别适用于半导体蚀刻制程中使用，提升关键零件寿命
• 等离子蚀刻测试：

• SF₆ + Cl₂ 气氛蚀刻深度差异：1.15 μm（SiC） vs. 11.85 μm（Si）
• CF₄ + O₂ 气氛蚀刻深度差异：3.25 μm（SiC） vs. 14.50 μm（Si）
• CF₄ + Ar 气氛蚀刻深度差异：0.40 μm（SiC） vs. 0.65 μm（Si）

可镀基材

• 硅（Silicon, Si）
• 石墨 (Graphite)
• 碳化硅（Silicon Carbide, SiC）

应用

• 半导体蚀刻零组件：如聚焦环（Focus ring）、挡片（Dummy wafer）等关键耗材