专 利 证 书 号 数：I541612

名　　　　　 称：有机真空涂布系统及薄膜形成方法

[1]申请专利范围

1. 一种有机真空涂布系统，包含有：一腔体(10)，具有一容室(11)可抽真空；一载台(20)，设于该腔体(10)的容室(11)，供装设被镀物；一蒸发源(30)，设于该腔体(10)的容室(11)；一有机单体供应装置(40)，系对该蒸发源(30)喷射有机单体使蒸发到被镀物上；一硬化装置(50)，对该被镀物成形的薄膜加以硬化。
2. 依据申请专利范围第1项所述有机真空涂布系统，其中该蒸发源(30)系设于该腔体(10)的容室(11)底部。
3. 依据申请专利范围第2项所述有机真空涂布系统，其中该硬化装置(50)系设于该腔体(10)的容室(11)环周。
4. 依据申请专利范围第1项所述有机真空涂布系统，其中该硬化装置(50)系设于该腔体(10)的容室(11)环周。
5. 一种使用如申请专利范围第1至4项其中任何一项所述有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其中该腔体(10)的容室(11)抽真空使真空度界于在10-1torr~10-6torr之间。
6. 一种如申请专利范围第5项所述薄膜形成方法，其中该蒸发源(30)的温度设定在摄氏200~450度之间。
7. 一种如申请专利范围第5项所述薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及硬化步骤，并可重复该成膜步骤及硬化步骤。
8. 一种使用如申请专利范围第1至4项其中任何一项所述有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其中该蒸发源(30)的温度设定在摄氏200~450度之间。
9. 一种如申请专利范围第8项所述薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及硬化步骤，并可重复该成膜步骤及硬化步骤。
10. 一种使用如申请专利范围第1至4项其中任何一项所述有机真空涂布系统的薄膜形成方法，其包含有成膜步骤及硬化步骤，并可重复该成膜步骤及硬化步骤。

• 第1图系本发明一较佳实施例的结构示意图。
• 第2图系本发明薄膜形成方法之一流程图。
• 第3图系本发明薄膜形成方法另一流程图。

【第1图】

【第2图】

【第3图】