HVMP混合式真空镀膜制程

HVMP混合式真空镀膜是什么?

HVMP(Hybrid Vacuum Metallization Process )包含了PVDPECVD制程,由于工业界要求降低生产成本、缩短制程时间、降低环境的污染以及减少能源的消耗,因此HVMP之新技术开发,来解决现今面临的问题。传统制程以喷涂、浸涂的方式改变基材的表面外观及物性,但步骤繁多,不仅需要流平的放置时间,也须进行热烘烤方式让薄膜固化,且薄膜会有膜厚不均现象产生。


HVMP混合式真空镀膜制程简介

HVMPPVD以热蒸镀为主,利用扩散帮浦抽至高真空,以钨丝或钨舟形式载放镀料,将镀料加热达到熔化温,使原子蒸发,到达并附着在基板表面上。在蒸镀过程中,蒸镀原子获得足够的能,在基板表面自由移动,原子堆栈成核,再聚合形成岛状结构,如此才能形成均匀的薄膜。

HVMP之电浆增强化学气相沉积(PECVD)技术是材料表面改质和薄膜沉积的基本方法,由于制程为真空环境,因此沉积薄膜的质量高、杂质含量少、特性佳。PECVD通常在黏滞流的真空度下沉积薄膜,使用电浆解离进入腔体的单体,而后沉积于工件表面。此技术具备低温沉积、绕镀性佳、结合强度高、薄膜厚度和成分组成结构可控制。


HVMP混合式真空镀膜制程的优势

HVMP新的研发技术结合了PVDPECVD两项优点,成功的将两项制程在同一炉完成多层镀膜,减少传统繁杂的步骤,提升产品的良率,缩短制程时间,以及节省传统的热烘烤所需的能源消耗,故大大了降低生产成本,符合现今工业上的制程需求,成为新一代生产制造之设备。