阴极电弧沉积(Arc)

离子镀膜制程原理于1963年由Mattox提出。从传统离子镀膜制程解离率0.1~1%、中空阴极放电式电浆离子镀膜法(Hollow Cathode Discharge Plasma Ion Plating)提升解离率至>40~70%，阴极电弧离子镀膜法(Cathodic Vacuum Arc)更是进一步将解离率达>40~90%。其整体制程透过阴极电弧(Cathodic Arc)将欲材料原子从靶源蒸发出来，经由靶源前方之高密度电浆区，将蒸发出来未解离的中性原子解离，经由外加于基材上之负偏压的引导，使这些离子被吸引往基材沉积。

阴极电弧离子镀膜，近年已有可稳定量产之复合类钻碳膜层制程技术，膜层硬度达3,700 HV、厚度达3 μm、摩擦系数约为0.1；同时亦开发膜层厚度12 μm之复合耐蚀膜层制程技术。