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原子层沉积系统

型号 : DYALD

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是可以被用来替换CVD、电浆辅助化学气相沉积(PECVD)和溅镀技术的新制程。原子层沉积也是化学气相沉积技术(CVD)的一种,其与CVD的差异在于ALD将传统CVD的反应过程分成两个部分的半反应(Half-reactions)。一为前驱物的化学吸附饱和程序(Chemisorption saturation process),另一为轮替的(Sequential)表面化学反应程序。

前驱产物和材料表面发生连续的、自限性(Self-limiting)的反应,薄膜通过分别和不同的前驱产物进行反应缓慢沉积,将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面,形成单一层膜(1~2 Å)的沉积,因此ALD薄膜的成长是控制在单一原子层之厚度区间,形成阶梯覆盖与大面积均匀性之薄膜。


随着原子层沉积具有高致密性、高厚度均匀性、高阶梯覆盖率、低温制程与原子级精密控制厚度等特点,除了可进行超薄高介电材料镀膜外,亦可针对微小的电路结构提供孔洞填补能力,如具高深宽比的结构与相关领域中提供厚度均匀的镀膜。原子层沉积是关键的半导体设备装配方法,也可以成为一些奈米材料合成方法中的一环未来开发的领域,包括半导体积体电路、微机电、薄膜电晶体、OLED显示器与元件封装。

产品型号


ALD-T50

ALD-PT50

ALD-T100

ALD-T200

适用基板尺寸


    2”

   2”

   4”

   8”

前驱物管路


3

3

5

5

工作温度范围


RT~400℃

电浆功率


NA

600

NA

NA

制程材料


氧化物、硫化物

氧化物、化物

氧化物、硫化物

氧化物、硫化物

  1. 特殊腔体流道设计提升前驱物传输效率。
  2. 厚度飘渺率小于2%。
  3. 可以成长大面积、均匀性、具化学剂量比的薄膜,且在高深宽比(High aspect ratios)的结构仍具有极佳的阶梯覆盖性(Step coverage)。
  4. 准确地控制膜厚,具有原子级的精准度。
  5. 可做低温的制程。
  6. 沉积致密且没有针孔(Pinhole)。

  1. 高介电材料(Al2O3、HfO2、ZrO2、Ta2O5)
  2. 触媒催化材料(Pt、Ir、Co、TiO2)
  3. 生医涂层(TiN、ZrN、CrN)
  4. 电致发光(SrS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Tb)
  5. 气体阻隔膜(Al2O3)
  6. 透明导电膜(ZnO:Al、ITO)

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