原子层沉积系统

原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是可以被用来替换CVD、电浆辅助化学气相沉积(PECVD)和溅镀技术的新制程。原子层沉积也是化学气相沉积技术(CVD)的一种，其与CVD的差异在于ALD将传统CVD的反应过程分成两个部分的半反应(Half-reactions)。一为前驱物的化学吸附饱和程序(Chemisorption saturation process)，另一为轮替的(Sequential)表面化学反应程序。

前驱产物和材料表面发生连续的、自限性(Self-limiting)的反应，薄膜通过分别和不同的前驱产物进行反应缓慢沉积，将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面，形成单一层膜(1~2 Å)的沉积，因此ALD薄膜的成长是控制在单一原子层之厚度区间，形成阶梯覆盖与大面积均匀性之薄膜。

随着原子层沉积具有高致密性、高厚度均匀性、高阶梯覆盖率、低温制程与原子级精密控制厚度等特点，除了可进行超薄高介电材料镀膜外，亦可针对微小的电路结构提供孔洞填补能力，如具高深宽比的结构与相关领域中提供厚度均匀的镀膜。原子层沉积是关键的半导体设备装配方法，也可以成为一些奈米材料合成方法中的一环未来开发的领域，包括半导体积体电路、微机电、薄膜电晶体、OLED显示器与元件封装。

1. 高介电材料(Al2O3、HfO2、ZrO2、Ta2O5)
2. 触媒催化材料(Pt、Ir、Co、TiO2)
3. 生医涂层(TiN、ZrN、CrN)
4. 电致发光(SrS:Cu、ZnS:Mn、ZnS:Tb)
5. 气体阻隔膜(Al2O3)
6. 透明导电膜(ZnO:Al、ITO)