原子层沉积(ALD)

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)为化学气相沉积法(CVD)的一种,藉由膜材料的气体化合物经由化学反应生成固体物质沉积于基板的方式获得薄膜。与传统CVD不同点在于,ALD的反应过程,一次只通入一种前驱物,待表面吸附饱和或反应生成所需薄膜为止,过多的前驱物及反应产生之副产物会由惰性气体Ar或N2冲洗(purge),重复数百次以沉积出几十奈米的反应化合物。

因其可随基板立体形状成长的特性,ALD技术所制备之薄膜具有高致密性、高厚度均匀性、高阶梯覆盖率、低温制程与原子级精密控制厚度等特点,可以精准控制薄膜厚度均匀。

除了可进行超薄高介电材料镀膜外,亦可针对微小的电路结构提供孔洞填补能力,应用范围包括半导体积体电路、微机电、薄膜电晶体、OLED显示器与元件封装等。

显示模式:
原子层沉积系统

原子层沉积系统