原子层沉积(ALD)

原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)是可以被用来替换CVD、电浆辅助化学气相沉积(PECVD)和溅镀技术的新制程。原子层沉积也是化学气相沉积技术(CVD)的一种,其与CVD的差异在于ALD将传统CVD的反应过程分成两个部分的半反应(Half-reactions)。一为前驱物的化学吸附饱和程序(Chemisorption saturation process),另一为轮替的(Sequential)表面化学反应程序。

随着原子层沉积具有高致密性、高厚度均匀性、高阶梯覆盖率、低温制程与原子级精密控制厚度等特点,除了可进行超薄高介电材料镀膜外,亦可针对微小的电路结构提供孔洞填补能力,如具高深宽比的结构与相关领域中提供厚度均匀的镀膜。原子层沉积是关键的半导体设备装配方法,也可以成为一些奈米材料合成方法中的一环未来开发的领域,包括半导体积体电路、微机电、薄膜电晶体、OLED显示器与元件封装。

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原子层沉积系统

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